Líder-mw | Introducción al amplificador de potencia de bajo ruido y alta ganancia |
Un amplificador de bajo ruido (LNA) de alta ganancia que opera en el rango de frecuencia de 0,01 a 1 GHz es un componente esencial en los sistemas de comunicación modernos y las aplicaciones de procesamiento de señales. Este dispositivo está diseñado para mejorar las señales débiles, minimizando el ruido adicional, lo que garantiza una calidad óptima de la señal para su posterior procesamiento o análisis.
El LNA suele incorporar materiales semiconductores avanzados y técnicas de diseño de circuitos para lograr sus excepcionales características de rendimiento. Su ganancia, que puede ser considerable, le permite amplificar señales eficazmente sin distorsión significativa, lo que lo hace ideal para entornos donde la intensidad de la señal es un factor limitante, como en comunicaciones por satélite o transmisiones inalámbricas de larga distancia.
Operando en la banda de frecuencia de 0,01 a 1 GHz, cubre un amplio espectro de aplicaciones, incluyendo radio VHF/UHF, enlaces de microondas y ciertos sistemas de radar. El amplio ancho de banda del amplificador garantiza la compatibilidad con diversos estándares y protocolos de comunicación, lo que aumenta su versatilidad en diferentes plataformas y casos de uso.
Además de la alta ganancia y la baja figura de ruido, otras especificaciones clave de estos amplificadores incluyen la adaptación de impedancia de entrada y salida, la linealidad y la estabilidad ante variaciones de temperatura. Estos atributos contribuyen en conjunto a su fiabilidad y eficacia para mantener la integridad de la señal en condiciones variables.
En general, un amplificador de bajo ruido y alta ganancia dentro del rango de frecuencia de 0,01 a 1 GHz es esencial para mejorar la sensibilidad y el rendimiento de los sistemas de comunicación y detección, lo que permite una recepción y transmisión de señales más claras y confiables.
Líder-mw | especificación |
No. | Parámetro | Mínimo | Típico | Máximo | Unidades |
1 | Rango de frecuencia | 0.01 | - | 1 | GHz |
2 | Ganar | 42 | 44 | dB | |
4 | Ganancia de planitud |
| ±2.0 | db | |
5 | Figura de ruido | - | 1.5 | dB | |
6 | Potencia de salida P1dB | 20 |
| dBM | |
7 | Potencia de salida de Psat | 21 |
| dBM | |
8 | ROE | 1.5 | 2.0 | - | |
9 | Voltaje de suministro | +12 | V | ||
10 | Corriente continua | 250 | mA | ||
11 | Potencia máxima de entrada | -5 | dBm | ||
12 | Conector | SMA-F | |||
13 | Espurio | -60 | dBc | ||
14 | Impedancia | 50 | Ω | ||
15 | Temperatura de funcionamiento | -30℃~+50℃ | |||
16 | Peso | 100 gramos | |||
15 | Acabado preferido | amarillo |
Observaciones:
Líder-mw | Especificaciones ambientales |
Temperatura de funcionamiento | -30ºC~+50ºC |
Temperatura de almacenamiento | -50ºC~+85ºC |
Vibración | Resistencia de 25 g RMS (15 grados 2 KHz), 1 hora por eje |
Humedad | 100% HR a 35ºC, 95%HR a 40ºC |
Choque | 20 G para media onda sinusoidal de 11 ms, 3 ejes en ambas direcciones |
Líder-mw | Especificaciones mecánicas |
Alojamiento | Aluminio |
Conector | Latón chapado en oro |
Contacto femenino: | bronce berilio bañado en oro |
RoHS | obediente |
Peso | 0,1 kilogramos |
Dibujo de contorno:
Todas las dimensiones en mm
Tolerancias de contorno ± 0,5(0,02)
Tolerancias de los orificios de montaje ±0,2 (0,008)
Todos los conectores: SMA-Hembra
Líder-mw | Datos de prueba |